MOSFET STMicroelectronics STH410N4F7-6AG, VDSS 40 V, ID 200 A, H2PAK de 6 + Tab pines, config. Simple

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Código RS:
166-0986
Nº ref. fabric.:
STH410N4F7-6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

H2PAK

Serie

STripFET F7

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

365 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

141 nC a 10 V

Ancho

10.4mm

Longitud

8.9mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Tensión de diodo directa

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.8mm

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics


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