MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH285N10F8-6AG, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK de 3

La imagen representada puede no ser la del producto

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

3,22 €

(exc. IVA)

3,90 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 93,22 €
10 - 243,12 €
25 - 993,05 €
100 - 4992,60 €
500 +2,45 €

*precio indicativo

Código RS:
800-460
Nº ref. fabric.:
STH285N10F8-6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

292A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

STH285N10F8-6AG

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

177nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

4V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Longitud

10.4mm

Anchura

4.7mm

Altura

15.8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 V de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada.

Certificación AEC-Q101

175 °C de temperatura máxima de unión de funcionamiento

100 % a prueba de avalancha

Excelente FoM (cifra de mérito)

Enlaces relacionados