MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH8N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 6 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3

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Código RS:
800-461
Nº ref. fabric.:
STH8N120K5-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

STH285N10F8-6AG

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.65mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.4nC

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.7mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Altura

15.8mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado con tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una reducción dramática de la resistencia de conexión y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) x área más baja del sector

Mejor FoM (figura de mérito) del sector

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Protegido por Zener

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