Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Código RS:: 233-3040
Nº ref. fabric.:: STH12N120K5-2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

7.252,00 €

(exc. IVA)

8.775,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Disponible

Disponible(s) 1000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
1000 +	7,252 €	7.252,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 233-3040
Nº ref. fabric.:: STH12N120K5-2
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1200V
	Serie	STB37N60
	Encapsulado	H2PAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	690mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	250W
	Tensión directa Vf	1.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	44.2nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	4.8mm
	Longitud	10.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V
	Serie STB37N60
	Encapsulado H2PAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 690mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 250W
	Tensión directa Vf 1.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44.2nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 4.8mm
	Longitud 10.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - STH12N120K5-2

Los MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics están diseñados con tecnología MDmesh™ K5 basada en una estructura vertical patentada innovadora. El resultado es una reducción drástica de la resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)

Carga de compuerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.