MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

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Código RS:
233-3040
Nº ref. fabric.:
STH12N120K5-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK

Serie

STB37N60

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

690mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44.2nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.8mm

Anchura

15.8 mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics están diseñados con tecnología MDmesh™ K5 basada en una estructura vertical patentada innovadora. El resultado es una reducción drástica de la resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)

Carga de compuerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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