MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1.2 kV, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 214-952
- Nº ref. fabric.:
- SCT025H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 214-952
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 2.7V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Altura | 4.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 2.7V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.4mm | ||
Longitud 15.25mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Altura 4.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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