MOSFET STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7 de 7 pines

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Código RS:
214-951
Nº ref. fabric.:
SCT025H120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

55 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Serie

SCT025H120G3AG

Tipo de Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

7

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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