MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCT025H120G3AG, VDSS 1.2 kV, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 214-951
- Nº ref. fabric.:
- SCT025H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 214-951
- Nº ref. fabric.:
- SCT025H120G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 55 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tensión directa (Vf) | 2.7 V | |
| Altura | 4.8 mm | |
| Longitud | 15.25 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 27 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 375 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 73 nC | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 55 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tensión directa (Vf) 2.7 V | ||
Altura 4.8 mm | ||
Longitud 15.25 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 27 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 375 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 73 nC | ||
Anchura 10.4 mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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