MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1.2 kV, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-961
Nº ref. fabric.:
SCT070H120G3-7
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

3V

Disipación de potencia máxima Pd

224W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.4mm

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.