MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCT020H120G3AG, VDSS 1.2 kV, ID 100 A, H2PAK-7 de 7 pines

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Código RS:
330-232
Nº ref. fabric.:
SCT020H120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

H2PAK-7

Serie

SCT0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18.5mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

121nC

Disipación de potencia máxima Pd

555W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología SiC MOSFET avanzada e innovadora de 3ra. generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Cualificado AEC-Q101

RDS(on) muy bajo en toda la gama de temperaturas

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia

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