MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

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Código RS:
202-5485
Nº ref. fabric.:
SCTW100N65G2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.105Ω

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

420W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Tensión directa Vf

2.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

34.95mm

Anchura

5.15 mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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