MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

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Código RS:
202-5485
Nº ref. fabric.:
SCTW100N65G2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.105Ω

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

2.8V

Disipación de potencia máxima Pd

420W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Altura

34.95mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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