MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

25,40 €

(exc. IVA)

30,73 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 4925,40 €
50 - 9922,49 €
100 - 24921,91 €
250 - 49921,34 €
500 +20,81 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
202-5481
Nº ref. fabric.:
SCTH100N65G2-7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.02Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

2.8V

Disipación de potencia máxima Pd

360W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.8 mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.25mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

Enlaces relacionados