STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, GH50H65DRB2-7AG, 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7 pines 1 Superficie

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Código RS:
330-362
Nº ref. fabric.:
GH50H65DRB2-7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

108A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Número de transistores

1

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

15.25mm

Anchura

24.3 mm

Altura

4.8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
La serie 650 HB2 de IGBT más reciente de STMicroelectronics representa una evolución de la avanzada estructura patentada de parada de campo con puerta en zanja. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Cualificado AEC-Q101

Temperatura máxima de unión TJ igual a 175 °C

Serie de conmutación de alta velocidad

Corriente de cola minimizada

Distribución ajustada de los parámetros

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo

Embalaje conjunto con diodo rectificador de alta resistencia

Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional

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