IGBT, GH50H65DRB2-7AG, 108 A, 650 V, H2PAK-7, 7-Pines 1

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Código RS:
330-362
Nº ref. fabric.:
GH50H65DRB2-7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

108 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

385 W

Tipo de Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

7

COO (País de Origen):
CN
La serie 650 HB2 de IGBT más reciente de STMicroelectronics representa una evolución de la avanzada estructura patentada de parada de campo con puerta en zanja. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) a valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Cualificado AEC-Q101
Temperatura máxima de unión TJ igual a 175 °C
Serie de conmutación de alta velocidad
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Embalaje conjunto con diodo rectificador de alta resistencia
Excelente rendimiento de conmutación gracias a la clavija kelvin de conducción adicional

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