MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

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Código RS:
224-9999
Nº ref. fabric.:
SCTH35N65G2V-7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.25mm

Anchura

4.8 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

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