MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

24.459,00 €

(exc. IVA)

29.595,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 21 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +24,459 €24.459,00 €

*precio indicativo

Código RS:
201-0868
Nº ref. fabric.:
SCTH90N65G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

116A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK

Serie

SCTH90

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

484W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.8 mm

Altura

10.4mm

Longitud

15.25mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja

Enlaces relacionados