MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

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Código RS:
201-0869
Nº ref. fabric.:
SCTH90N65G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

116A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK

Serie

SCTH90

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

157nC

Disipación de potencia máxima Pd

484W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

10.4mm

Longitud

15.25mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja

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