MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG, VDSS 650 V, ID 51 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines, config. Canal
- Código RS:
- 481-127
- Nº ref. fabric.:
- STH65N050DM9-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | STH65N | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 24.3 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie STH65N | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.25mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 24.3 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la avanzada tecnología MDmesh DM9 de superunión, diseñada para aplicaciones de media y alta tensión. Presenta una RDS(on) por área extremadamente baja y un diodo de recuperación rápida, lo que lo hace ideal para la conmutación de alta eficiencia. La tecnología de silicio DM9 utiliza un proceso de fabricación multidrenaje que mejora la estructura y el rendimiento del dispositivo. Con una carga de recuperación (Qrr) muy baja, un tiempo de recuperación (trr) rápido y un RDS(on) bajo, este MOSFET está optimizado para topologías de puente exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Baja carga de puerta y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Excelente rendimiento de conmutación gracias al pin de fuente de alimentación adicional
con cualificación AEC-Q101
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