MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 51 A, HU3PAK, N de 7 pines, config. Canal N

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Código RS:
481-135
Nº ref. fabric.:
STHU65N050DM9AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

HU3PAK

Serie

STHU65

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Canal N

Longitud

11.9mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

14.1 mm

Altura

3.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
JP
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la vanguardista tecnología MDmesh DM9 de superunión, ideal para aplicaciones de media y alta tensión. Ofrece una RDS(on) ultrabaja por área e integra un diodo de recuperación rápida. El avanzado proceso DM9 basado en silicio presenta una estructura multidrenaje que mejora el rendimiento general del dispositivo. Con una carga de recuperación (Qrr) muy baja, un tiempo de recuperación (trr) corto y una RDS(on) mínima, este MOSFET de conmutación rápida es perfectamente adecuado para topologías de puente de alta eficiencia y convertidores de cambio de fase ZVS.

Baja carga de puerta y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Excelente rendimiento de conmutación gracias al pin de fuente de alimentación adicional

con cualificación AEC-Q101

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