MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 51 A, HU3PAK, N de 7 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 481-135
- Nº ref. fabric.:
- STHU65N050DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 481-135
- Nº ref. fabric.:
- STHU65N050DM9AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Serie | STHU65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Anchura | 14.1 mm | |
| Altura | 3.6mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 11.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Serie STHU65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Anchura 14.1 mm | ||
Altura 3.6mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 11.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- JP
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la vanguardista tecnología MDmesh DM9 de superunión, ideal para aplicaciones de media y alta tensión. Ofrece una RDS(on) ultrabaja por área e integra un diodo de recuperación rápida. El avanzado proceso DM9 basado en silicio presenta una estructura multidrenaje que mejora el rendimiento general del dispositivo. Con una carga de recuperación (Qrr) muy baja, un tiempo de recuperación (trr) corto y una RDS(on) mínima, este MOSFET de conmutación rápida es perfectamente adecuado para topologías de puente de alta eficiencia y convertidores de cambio de fase ZVS.
Baja carga de puerta y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Excelente rendimiento de conmutación gracias al pin de fuente de alimentación adicional
con cualificación AEC-Q101
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