MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STW55NM60ND, VDSS 600 V, ID 51 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 761-0336
- Nº ref. fabric.:
- STW55NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 761-0336
- Nº ref. fabric.:
- STW55NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 600 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 51 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.3 V | |
| Altura | 20.15 mm | |
| Longitud | 15.75 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 60 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25 V, +25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 350 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Serie | FDmesh | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 190 nC | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 600 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 51 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.3 V | ||
Altura 20.15 mm | ||
Longitud 15.75 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 60 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25 V, +25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 350 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Serie FDmesh | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 190 nC | ||
Anchura 5.15 mm | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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