MOSFET STMicroelectronics STW55NM60ND, VDSS 600 V, ID 51 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
103-1993
Nº ref. fabric.:
STW55NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

51 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

FDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

60 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

350 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Longitud

15.75mm

Ancho

5.15mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

190 nC a 10 V

Altura

20.15mm

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics



Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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