MOSFET STMicroelectronics, Tipo N, Tipo N-Canal STW55NM60ND, VDSS 600 V, ID 51 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config.

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Código RS:
103-1993
Nº ref. fabric.:
STW55NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

FDmesh

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

190nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Disipación de potencia máxima Pd

350W

Tensión directa Vf

1.3V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia FDmeshTM de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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