MOSFET IXYS, N-Canal IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 917-1457
Nº ref. fabric.:: IXTH12N65X2
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS, N-Canal IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 917-1457
Nº ref. fabric.:: IXTH12N65X2
Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	650 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	12 A
	Encapsulado	TO-247
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	3
	Número de elementos por chip	1
	Configuración de transistor	Simple
	Estándar de automoción	No
	Tensión directa (Vf)	1.4 V
	Altura	5.3 mm
	Longitud	16.24 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	300 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-30 V, +30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	180 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tipo de montaje	Orificio pasante, Orificio pasante
	Serie	X2-Class
	Certificaciones y estándares	No
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs	17.7 nC
	Anchura	21.45 mm

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 12 A
	Encapsulado TO-247
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 3
	Número de elementos por chip 1
	Configuración de transistor Simple
	Estándar de automoción No
	Tensión directa (Vf) 1.4 V
	Altura 5.3 mm
	Longitud 16.24 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 300 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 180 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante
	Serie X2-Class
	Certificaciones y estándares No
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 17.7 nC
	Anchura 21.45 mm

N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series

The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

Very low RDS(on) and QG (gate charge)

Intrinsic rectifier diode

Low intrinsic gate resistance

Low package inductance

Industry standard packages

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

MOSFET IXYS, N-Canal IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series

MOSFET Transistors, IXYS

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