MOSFET IXYS, Tipo N, Tipo N-Canal IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 146-1786
- Nº ref. fabric.:
- IXTH12N65X2
- Fabricante:
- IXYS
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 146-1786
- Nº ref. fabric.:
- IXTH12N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 180W | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.24mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 180W | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.24mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS X2-Class
La serie MOSFET de potencia de clase X2 de IXYS ofrece una resistencia y una carga de puerta significativamente reducidas en comparación con generaciones anteriores de MOSFET de potencia, lo que se traduce en pérdidas reducidas y mayor eficiencia operativa. Estos dispositivos robustos incorporan un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y modo resonante. Los MOSFET de potencia de clase X2 están disponibles en una gran variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, accionamientos de motor ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y resonante, interruptores de dc, inversores solares, control de temperatura e iluminación.
Muy bajo RDS(on) y QG (carga de puerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia intrínseca de puerta
Inductancia de encapsulado baja
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET IXYS Tipo N-Canal IXTH12N65X2 ID 12 A Mejora de 3 pines config. Simple
- MOSFET IXYS Tipo N-Canal IXFH15N100Q3 ID 15 A Mejora de 3 pines config. Simple
- MOSFET IXYS VDSS 600 V TO-247 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines