MOSFET IXYS, Tipo N, Tipo N-Canal IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
146-1786
Nº ref. fabric.:
IXTH12N65X2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

X2-Class

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

180W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.4V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

No

Anchura

21.45 mm

Altura

5.3mm

Longitud

16.24mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS X2-Class


La serie MOSFET de potencia de clase X2 de IXYS ofrece una resistencia y una carga de puerta significativamente reducidas en comparación con generaciones anteriores de MOSFET de potencia, lo que se traduce en pérdidas reducidas y mayor eficiencia operativa. Estos dispositivos robustos incorporan un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y modo resonante. Los MOSFET de potencia de clase X2 están disponibles en una gran variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, accionamientos de motor ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y resonante, interruptores de dc, inversores solares, control de temperatura e iluminación.

Muy bajo RDS(on) y QG (carga de puerta)

Diodo rectificador intrínseco

Baja resistencia intrínseca de puerta

Inductancia de encapsulado baja

Encapsulados estándar del sector

Transistores MOSFET, IXYS


Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS

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