MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
146-1786
Nº ref. fabric.:
IXTH12N65X2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Serie

X2-Class

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

180 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

21.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.24mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17,7 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

5.3mm

Tensión de diodo directa

1.4V

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2


La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector


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