MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 146-1786
Nº ref. fabric.:: IXTH12N65X2
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 05/02/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

4,434 €

(exc. IVA)

5,365 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	4,434 €	133,02 €

*precio indicativo

Código RS:: 146-1786
Nº ref. fabric.:: IXTH12N65X2
Fabricante:: IXYS

N-ch X2-Class Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	X2-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	180 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	21.45mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	17,7 nC a 10 V
Longitud	16.24mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	5.3mm
Tensión de diodo directa	1.4V

MOSFET IXYS IXTH12N65X2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2