MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
801-1389
Número de artículo Distrelec:
302-53-309
Nº ref. fabric.:
IXFH15N100Q3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,05 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

6.5V

Disipación de Potencia Máxima

690 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Longitud

16.26mm

Ancho

5.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Altura

16.26mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3


Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia


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