MOSFET IXYS, Tipo N, Tipo N-Canal IXFH15N100Q3, VDSS 1000 V, ID 15 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
920-0969
Nº ref. fabric.:
IXFH15N100Q3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1000V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.05Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Tensión directa Vf

1.4V

Disipación de potencia máxima Pd

690W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.26mm

Altura

16.26mm

Anchura

5.3 mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM Q3


La clase IXYS Q3 de MOSFET de potencia HiperFETTM es adecuada para aplicaciones de modo resonante y de conmutación rígida, y ofrece una carga de puerta baja con una robustez excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo intrínseco rápido y están disponibles en una variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, control de temperatura e iluminación.

Diodo rectificador intrínseco rápido

RDS (encendido) y QG (carga de puerta) bajos

Baja resistencia intrínseca de puerta

Encapsulados estándar del sector

Inductancia de encapsulado baja

Alta densidad de potencia

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