MOSFET IXYS, N-Canal IXFH15N100Q3, VDSS 1 kV, ID 15 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 920-0969
- Nº ref. fabric.:
- IXFH15N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 920-0969
- Nº ref. fabric.:
- IXFH15N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 15 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.4 V | |
| Altura | 16.26 mm | |
| Longitud | 16.26 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 1.05 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30 V, +30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 690 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 64 nC | |
| Anchura | 5.3 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 15 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.4 V | ||
Altura 16.26 mm | ||
Longitud 16.26 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 1.05 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 690 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 64 nC | ||
Anchura 5.3 mm | ||
- COO (País de Origen):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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