MOSFET IXYS, Tipo N-Canal MMIX1F180N25T, VDSS 250 V, ID 132 A, SMPD, Mejora de 24 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
875-2481
Nº ref. fabric.:
MMIX1F180N25T
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

132A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

24

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

570W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Altura

5.7mm

Anchura

23.25 mm

Longitud

25.25mm

Número de elementos por chip

1

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


Transistores MOSFET, IXYS


Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS

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