Nº ref. fabric.

MOSFET IXYS, N-Canal MMIX1F180N25T, VDSS 250 V, ID 132 A, SMPD, Mejora de 24 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 875-2481
Nº ref. fabric.:: MMIX1F180N25T
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS, N-Canal MMIX1F180N25T, VDSS 250 V, ID 132 A, SMPD, Mejora de 24 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 875-2481
Nº ref. fabric.:: MMIX1F180N25T
Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	132A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	250V
	Encapsulado	SMPD
	Serie	GigaMOS, HiperFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	24
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	570W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-30V, +30V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Configuración de transistor	Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	25.25mm
	Anchura	23.25mm
	Altura	5.7mm
	Número de elementos por chip	1

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 132A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V
	Encapsulado SMPD
	Serie GigaMOS, HiperFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 24
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 570W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Configuración de transistor Simple
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 25.25mm
	Anchura 23.25mm
	Altura 5.7mm
	Número de elementos por chip 1

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