MOSFET IXYS, Tipo N-Canal MMIX1F180N25T, VDSS 250 V, ID 132 A, SMPD, Mejora de 24 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
875-2481
Nº ref. fabric.:
MMIX1F180N25T
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

132A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Encapsulado

SMPD

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

24

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

570W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

23.25 mm

Altura

5.7mm

Longitud

25.25mm

Número de elementos por chip

1

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


Transistores MOSFET, IXYS


Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS

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