MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 55 V, ID 550 A, Mejora, SMPD de 24 pines

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Código RS:
168-4794
Nº ref. fabric.:
MMIX1T550N055T2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

550A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SMPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

24

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

595nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

830W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

23.25 mm

Longitud

25.25mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


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