MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 40 V, ID 600 A, Mejora, SMPD de 24 pines

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Código RS:
168-4791
Nº ref. fabric.:
MMIX1T600N04T2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

600A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Encapsulado

SMPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

24

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

830W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

590nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

25.25mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.7mm

Anchura

23.25mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


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