MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 75 V, ID 500 A, Mejora, SMPD de 24 pines
- Código RS:
- 168-4790
- Nº ref. fabric.:
- MMIX1F520N075T2
- Fabricante:
- IXYS
Subtotal (1 tubo de 20 unidades)*
373,56 €
(exc. IVA)
452,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 20 + | 18,678 € | 373,56 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-4790
- Nº ref. fabric.:
- MMIX1F520N075T2
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 500A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | SMPD | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 24 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.25V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 830W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 545nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 23.25mm | |
| Altura | 5.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 25.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 500A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado SMPD | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 24 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.25V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 830W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 545nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 23.25mm | ||
Altura 5.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 25.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, SMPD de 24 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, SMPD de 24 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SMPD de 24 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SMPD de 24 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, SMPD de 24 pines
- MOSFET IXYS VDSS 250 V SMPD 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines