MOSFET IXYS, Tipo N-Canal MMIX1F180N25T, VDSS 250 V, ID 132 A, SMPD, Mejora de 24 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 146-1770
- Nº ref. fabric.:
- MMIX1F180N25T
- Fabricante:
- IXYS
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 146-1770
- Nº ref. fabric.:
- MMIX1F180N25T
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 132A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Encapsulado | SMPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 24 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 570W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 23.25mm | |
| Altura | 5.7mm | |
| Longitud | 25.25mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 132A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Encapsulado SMPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 24 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 570W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 23.25mm | ||
Altura 5.7mm | ||
Longitud 25.25mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
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