MOSFET IXYS, N-Canal IXFB82N60Q3, VDSS 600 V, ID 82 A, PLUS264, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 801-1370
- Nº ref. fabric.:
- IXFB82N60Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 801-1370
- Nº ref. fabric.:
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- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 82A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Encapsulado | PLUS264 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.56kW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 26.59mm | |
| Longitud | 20.29mm | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 82A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Encapsulado PLUS264 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.56kW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 26.59mm | ||
Longitud 20.29mm | ||
Anchura 5.31mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM Q3
La clase IXYS Q3 de MOSFET de potencia HiperFETTM es adecuada para aplicaciones de modo resonante y de conmutación rígida, y ofrece una carga de puerta baja con una robustez excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo intrínseco rápido y están disponibles en una variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, control de temperatura e iluminación.
Diodo rectificador intrínseco rápido
RDS (encendido) y QG (carga de puerta) bajos
Baja resistencia intrínseca de puerta
Encapsulados estándar del sector
Inductancia de encapsulado baja
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
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