MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFB90N85X, VDSS 850 V, ID 90 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- Código RS:
- 146-4246
- Nº ref. fabric.:
- IXFB90N85X
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 146-4246
- Nº ref. fabric.:
- IXFB90N85X
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 340nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.79kW | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.29mm | |
| Altura | 26.59mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado PLUS264 | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 340nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.79kW | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.29mm | ||
Altura 26.59mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.
Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
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