MOSFET IXYS, Tipo N-Canal IXFN44N100Q3, VDSS 1000 V, ID 38 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, 1, config. Simple

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Descatalogado
Código RS:
804-7577
Número de artículo Distrelec:
302-53-373
Nº ref. fabric.:
IXFN44N100Q3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1000V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

220mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30, -30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

38.23mm

Anchura

25.07mm

Altura

9.6mm

Número de elementos por chip

1

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM Q3


La clase IXYS Q3 de MOSFET de potencia HiperFETTM es adecuada para aplicaciones de modo resonante y de conmutación rígida, y ofrece una carga de puerta baja con una robustez excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo intrínseco rápido y están disponibles en una variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, control de temperatura e iluminación.

Diodo rectificador intrínseco rápido

RDS (encendido) y QG (carga de puerta) bajos

Baja resistencia intrínseca de puerta

Encapsulados estándar del sector

Inductancia de encapsulado baja

Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS


Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS

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