MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 300 V, ID 192 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 804-7593
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-368
- Nº ref. fabric.:
- IXFN210N30P3
- Fabricante:
- IXYS
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
39,37 €
(exc. IVA)
47,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 244 unidad(es) más para enviar a partir del 28 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 39,37 € |
| 2 - 4 | 38,19 € |
| 5 + | 37,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 804-7593
- Número de artículo Distrelec:
- 302-53-368
- Nº ref. fabric.:
- IXFN210N30P3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 192A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 268nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5kW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 9.6mm | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 192A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 268nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5kW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 9.6mm | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 850 V Mejora, SOT-227 de 4 pines
