MOSFET IXYS IXFN132N50P3, VDSS 500 V, ID 112 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
804-7599
Nº ref. fabric.:
IXFN132N50P3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

112 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo de Montaje

Montaje roscado

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

39 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 kW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

38.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

250 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

25.07mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.6mm

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