MOSFET IXYS IXFN132N50P3, VDSS 500 V, ID 112 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-4757
Nº ref. fabric.:: IXFN132N50P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFN132N50P3, VDSS 500 V, ID 112 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

8 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 10)

35,915 €

(exc. IVA)

43,457 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
10 +	35,915 €	359,15 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4757
Nº ref. fabric.:: IXFN132N50P3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: US

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™

Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	112 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado	SOT-227
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	39 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,5 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	25.07mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	250 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	38.23mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.6mm