MOSFET IXYS IXFN44N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 38 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-4755
Nº ref. fabric.:: IXFN44N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFN44N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 38 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 09/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 10)

51,668 €

(exc. IVA)

62,518 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
10 +	51,668 €	516,68 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4755
Nº ref. fabric.:: IXFN44N100Q3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: US

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	38 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Tipo de Encapsulado	SOT-227
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	220 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	960 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	25.07mm
Material del transistor	Si
Longitud	38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	264 nC a 10 V
Altura	9.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C