MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 24 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*

441,28 €

(exc. IVA)

533,95 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 80 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
10 +44,128 €441,28 €

*precio indicativo

Código RS:
146-1694
Nº ref. fabric.:
IXFN24N100
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Serie

HiperFET

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

390mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

267nC

Disipación de potencia máxima Pd

568W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

25.42 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™


Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados