MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN32N100Q3, VDSS 1 kV, ID 28 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 168-4754
- Nº ref. fabric.:
- IXFN32N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*
439,94 €
(exc. IVA)
532,33 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 23 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 10 + | 43,994 € | 439,94 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-4754
- Nº ref. fabric.:
- IXFN32N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 320mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 780W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 320mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 780W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 38.23mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1 kV Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, SOT-227 de 4 pines