MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTN22N100L, VDSS 1 kV, ID 22 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4610
Nº ref. fabric.:
IXTN22N100L
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Encapsulado

SOT-227

Serie

Linear

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

270nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

700W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

25.07 mm

Longitud

38.2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear


MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.

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