MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 82 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

Código RS:: 804-7565
Número de artículo Distrelec:: 302-53-357
Nº ref. fabric.:: IXFN100N50Q3
Fabricante:: IXYS

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Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	82A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Encapsulado	SOT-227
	Tipo de montaje	Panel
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	49mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	255nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	960W
	Tensión directa Vf	1.5V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	38.23mm
	Anchura	25.07 mm
	Altura	9.6mm
	Certificaciones y estándares	No
	Distrelec Product Id	30253357
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 82A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Encapsulado SOT-227
	Tipo de montaje Panel
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 49mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 255nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 960W
	Tensión directa Vf 1.5V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 38.23mm
	Anchura 25.07 mm
	Altura 9.6mm
	Certificaciones y estándares No
	Distrelec Product Id 30253357
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)

Baja resistencia de compuerta intrínseca

Encapsulados estándar del sector

Baja inductancia de encapsulado

Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 82 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Transistores MOSFET, IXYS

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