MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 63 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

Código RS:: 804-7583
Número de artículo Distrelec:: 302-53-379
Nº ref. fabric.:: IXFN80N50Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 63 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:: 804-7583
Número de artículo Distrelec:: 302-53-379
Nº ref. fabric.:: IXFN80N50Q3
Fabricante:: IXYS

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	63A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Encapsulado	SOT-227
	Tipo de montaje	Panel
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	780W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	200nC
	Tensión directa Vf	1.4V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	38.23mm
	Altura	9.6mm
	Anchura	25.07 mm
	Estándar de automoción	No
	Distrelec Product Id	30253379

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 63A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Encapsulado SOT-227
	Tipo de montaje Panel
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 780W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 200nC
	Tensión directa Vf 1.4V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 38.23mm
	Altura 9.6mm
	Anchura 25.07 mm
	Estándar de automoción No
	Distrelec Product Id 30253379

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)

Baja resistencia de compuerta intrínseca

Encapsulados estándar del sector

Baja inductancia de encapsulado

Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 63 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Transistores MOSFET, IXYS

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