Módulos MOSFET Vishay, N-Canal VS-FC100SA65, VDSS 650 V, ID 113 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple
- Código RS:
- 869-226
- Nº ref. fabric.:
- VS-FC100SA65
- Fabricante:
- Vishay
La imagen representada puede no ser la del producto
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
30,60 €
(exc. IVA)
37,03 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 20 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 30,60 € |
| 10 - 99 | 24,97 € |
| 100 - 479 | 22,07 € |
| 480 + | 20,26 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 869-226
- Nº ref. fabric.:
- VS-FC100SA65
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 113A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | VS-FC | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 27.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 338nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 833W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Altura | 12.3mm | |
| Anchura | 25.7mm | |
| Longitud | 38.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 113A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Serie VS-FC | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 27.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 338nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 833W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Altura 12.3mm | ||
Anchura 25.7mm | ||
Longitud 38.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El módulo MOSFET de potencia de superconexión de canal N de Vishay dispone de un MOSFET de potencia de superconexión que funciona eficazmente dentro de especificaciones de alta corriente y tensión.
La tecnología de superunión permite un rendimiento superior con R DS(on) bajo
La corriente de drenaje nominal continua de 82 A maximiza la eficiencia en diversas condiciones de funcionamiento
Las excepcionales características térmicas permiten el funcionamiento a una temperatura de unión máxima de 150 °C
La resistencia de tensión de puerta a fuente de ±20 V garantiza un rendimiento robusto
La baja carga de puerta minimiza las pérdidas de conmutación para una gestión óptima de la potencia
Enlaces relacionados
- Módulos MOSFET Vishay VDSS 650 V SOT-227 config. Simple
- Módulos MOSFET Vishay VDSS 650 V SOT-227 config. Simple
- Módulos MOSFET Vishay VDSS 650 V SOT-227 config. Lado bajo
- Vishay IGBT Tipo N-Canal 650 V 4 pines 1 Panel
- Vishay IGBT Tipo N-Canal 650 V 4 pines 1 Panel
- MOSFET IXYS VDSS 1000 V SOT-227 1, config. Simple
- MOSFET IXYS IXFN132N50P3 ID 112 A config. Simple
- MOSFET IXYS IXFN132N50P3 ID 112 A , config. Simple