MOSFET Infineon IRFP7718PBF, VDSS 75 V, ID 355 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
145-8890
Nº ref. fabric.:
IRFP7718PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

355 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

75 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

517 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

5.31mm

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

552 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

20.7mm

COO (País de Origen):
MX

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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