MOSFET Infineon, N-Canal IRFP7718PBF, VDSS 75 V, ID 355 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 145-8890
- Nº ref. fabric.:
- IRFP7718PBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 145-8890
- Nº ref. fabric.:
- IRFP7718PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 75 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 355 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.3 V | |
| Altura | 20.7 mm | |
| Longitud | 15.87 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 1.8 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 517 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Serie | HEXFET | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free, RoHS | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 552 nC | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 75 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 355 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.3 V | ||
Altura 20.7 mm | ||
Longitud 15.87 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 1.8 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 517 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Serie HEXFET | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free, RoHS | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 552 nC | ||
Anchura 5.31 mm | ||
- COO (País de Origen):
- MX
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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