MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo N-Canal IRFP7718PBF, VDSS 75 V, ID 355 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
145-8890
Nº ref. fabric.:
IRFP7718PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

355A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

517W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

552nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Lead-Free, RoHS

Anchura

5.31 mm

Altura

20.7mm

Longitud

15.87mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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