MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF1407PBF, VDSS 75 V, ID 130 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
170-2243
Nº ref. fabric.:
IRF1407PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

130A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

IRF1407PbF

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

330W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

10.67mm

Altura

16.51mm

Anchura

4.83 mm

Número de elementos por chip

1

Este diseño planar de tira de MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia de HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas ventajas se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Ventajas:

Baja RDS(on)

Valor nominal de dv/dt dinámico

Conmutación rápida

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Aplicaciones de destino:

Consumo de puente completo

Puente completo

Inserción-extracción

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