MOSFET Infineon, N-Canal IRL2505PBF, VDSS 55 V, ID 104 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 913-3869
- Nº ref. fabric.:
- IRL2505PBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 913-3869
- Nº ref. fabric.:
- IRL2505PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 104A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | LogicFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 104A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie LogicFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie LogicFET, corriente de drenaje continua máxima de 104 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRL2505PBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gestión eficiente de la energía. Con una corriente de drenaje continua máxima de 104 A y una capacidad de tensión de drenaje-fuente de hasta 55 V, es una opción competitiva para el mercado. Su robusta construcción y sus avanzadas especificaciones lo hacen idóneo para diversas aplicaciones electrónicas y de automatización.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión de 8mΩ reduce la generación de calor
• La disipación de potencia máxima de 200 W mejora el rendimiento
• El estilo de montaje con orificios pasantes facilita la integración
• Los bajos costes de entrada mejoran la eficacia operativa
• El diseño del modo de mejora garantiza el rendimiento en condiciones difíciles
Aplicaciones
• Conmutación de potencia para un control eficaz
• Circuitos de accionamiento del motor para regular la velocidad y el par
• Sistemas automatizados que requieren una elevada gestión de la corriente
• Fuentes de alimentación y circuitos de conversión para mantener una salida estable
• Maquinaria industrial para una mayor potencia
¿Cuál es el umbral de tensión de la puerta para su uso?
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1 V y 2 V, lo que ofrece flexibilidad para diversas aplicaciones.
¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?
Este dispositivo puede funcionar eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para condiciones ambientales adversas.
¿Puede funcionar con corriente pulsada?
Sí, puede gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 360 A, lo que garantiza la fiabilidad durante aplicaciones de corta duración.
¿Qué nivel de tensión puede manejarse a través de la fuente de drenaje?
Admite una tensión máxima de 55 V, ideal para la mayoría de las aplicaciones de uso general.
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
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