MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo N-Canal IRL2505PBF, VDSS 55 V, ID 104 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config.

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Código RS:
913-3869
Nº ref. fabric.:
IRL2505PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

LogicFET

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie LogicFET, corriente de drenaje continua máxima de 104 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRL2505PBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento que requieren una gestión eficiente de la energía. Con una corriente de drenaje continua máxima de 104 A y una capacidad de tensión de drenaje-fuente de hasta 55 V, es una opción competitiva para el mercado. Su robusta construcción y sus avanzadas especificaciones lo hacen idóneo para diversas aplicaciones electrónicas y de automatización.

Características y ventajas


• La baja resistencia a la conexión de 8mΩ reduce la generación de calor

• La disipación de potencia máxima de 200 W mejora el rendimiento

• El estilo de montaje con orificios pasantes facilita la integración

• Los bajos costes de entrada mejoran la eficacia operativa

• El diseño del modo de mejora garantiza el rendimiento en condiciones difíciles

Aplicaciones


• Conmutación de potencia para un control eficaz

• Circuitos de accionamiento del motor para regular la velocidad y el par

• Sistemas automatizados que requieren una elevada gestión de la corriente

• Fuentes de alimentación y circuitos de conversión para mantener una salida estable

• Maquinaria industrial para una mayor potencia

¿Cuál es el umbral de tensión de la puerta para su uso?


La tensión de umbral de puerta oscila entre 1 V y 2 V, lo que ofrece flexibilidad para diversas aplicaciones.

¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?


Este dispositivo puede funcionar eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace adecuado para condiciones ambientales adversas.

¿Puede funcionar con corriente pulsada?


Sí, puede gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 360 A, lo que garantiza la fiabilidad durante aplicaciones de corta duración.

¿Qué nivel de tensión puede manejarse a través de la fuente de drenaje?


Admite una tensión máxima de 55 V, ideal para la mayoría de las aplicaciones de uso general.

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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