MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFB17N50LPBF, VDSS 500 V, ID 16 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-8623
Nº ref. fabric.:
IRFB17N50LPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Terminal roscado

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.32Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Disipación de potencia máxima Pd

220W

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El Vishay IRFB17N50L es un MOSFET de potencia de canal N con tensión de drenador a fuente (VDS) de 500V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Tiene que tener encapsulado TO-220AB. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,28ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 16A A.

La carga de compuerta baja QG da como resultado un requisito de accionamiento sencillo

Puerta mejorada, avalancha y resistencia dv/dt dinámica

Corriente y tensión de avalancha y capacitancia completamente caracterizadas

trr baja y recuperación de diodo suave

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