MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFB17N50LPBF, VDSS 500 V, ID 16 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8623
- Nº ref. fabric.:
- IRFB17N50LPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8623
- Nº ref. fabric.:
- IRFB17N50LPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.32Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 130nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 220W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.32Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 130nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 220W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay IRFB17N50L es un MOSFET de potencia de canal N con tensión de drenador a fuente (VDS) de 500V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30V V. Tiene que tener encapsulado TO-220AB. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,28ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 16A A.
La carga de compuerta baja QG da como resultado un requisito de accionamiento sencillo
Puerta mejorada, avalancha y resistencia dv/dt dinámica
Corriente y tensión de avalancha y capacitancia completamente caracterizadas
trr baja y recuperación de diodo suave
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