MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 11 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8692
- Nº ref. fabric.:
- IRF9Z24PBF
- Fabricante:
- Vishay
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*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8692
- Nº ref. fabric.:
- IRF9Z24PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.28Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.28Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 280mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 60W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• avalancha repetitiva
• Requisitos sencillos de la unidad
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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