MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal IRF9Z30PBF, VDSS 50 V, ID 18 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8311
- Nº ref. fabric.:
- IRF9Z30PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8311
- Nº ref. fabric.:
- IRF9Z30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.14Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Anchura | 10.52 mm | |
| Altura | 6.48mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.14Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 14.4mm | ||
Anchura 10.52 mm | ||
Altura 6.48mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220AB de canal P, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 140mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Tecnología de procesos Advanced
• Cambio rápido
• Totalmente avalado
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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