MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRFZ20PBF, VDSS 50 V, ID 15 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8356
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ20PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8356
- Nº ref. fabric.:
- IRFZ20PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Conector hembra | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.48mm | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Conector hembra | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.48mm | ||
Longitud 14.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220AB-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 50V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 100Mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 40W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Paquete de plástico compacto
• Facilidad de conexión en paralelo
• Excelente estabilidad de temperatura
• RDS extremadamente baja (ON)
• Cambio rápido
• Componente sin plomo (Pb)
• Baja corriente de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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