MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 600 V, ID 6.2 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8656
- Nº ref. fabric.:
- IRFBC40APBF
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,70 € | 8,50 € |
| 50 - 120 | 1,528 € | 7,64 € |
| 125 - 245 | 1,444 € | 7,22 € |
| 250 - 495 | 1,362 € | 6,81 € |
| 500 + | 1,276 € | 6,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8656
- Nº ref. fabric.:
- IRFBC40APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.71mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.52 mm | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.71mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.52 mm | ||
Longitud 14.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-220-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 600V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 1,20mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 125W mW. El producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Se especifica un coss efectivo
• Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de avalancha
• Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico
• Componente sin plomo (Pb)
• La carga de compuerta baja QG da como resultado un simple requisito de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
Aplicaciones
• Conmutación de potencia de alta velocidad
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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