MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SIHP25N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 26 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config.
- Código RS:
- 180-7790
- Nº ref. fabric.:
- SIHP25N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,014 € | 15,07 € |
| 50 - 120 | 2,772 € | 13,86 € |
| 125 - 245 | 2,558 € | 12,79 € |
| 250 - 495 | 2,412 € | 12,06 € |
| 500 + | 2,258 € | 11,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7790
- Nº ref. fabric.:
- SIHP25N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.145Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.52 mm | |
| Altura | 6.71mm | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.145Ω | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.52 mm | ||
Altura 6.71mm | ||
Longitud 14.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET DE CANAL N TO-220AB-3 de montaje en orificio pasante Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 145mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 250W mW y una corriente de drenaje continua de 26A A. Tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Baja figura de mérito (FOM): Ron x QG
• Carga de compuerta baja (QG)
• Baja capacitancia de entrada (CISS)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• Reducción de pérdidas de conducción y conmutación
Aplicaciones
• Topologías conmutadas duras
• Fuentes de alimentación ATX/caja plateada para PC
• Fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia (PFC)
• Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Iluminación LED de dos etapas
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS probado
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