MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SIHP25N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 26 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-7790
- Nº ref. fabric.:
- SIHP25N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,014 € | 15,07 € |
| 50 - 120 | 2,772 € | 13,86 € |
| 125 - 245 | 2,558 € | 12,79 € |
| 250 - 495 | 2,412 € | 12,06 € |
| 500 + | 2,258 € | 11,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7790
- Nº ref. fabric.:
- SIHP25N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.145Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.52mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Altura | 6.71mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.145Ω | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.52mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 14.4mm | ||
Altura 6.71mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de drenaje a fuente de 500 V, corriente de drenaje continua de 26 A - SIHP25N50E-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor simple de canal N en un encapsulado TO-220AB diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia de alta tensión. Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de potencia significativo y características de accionamiento de puerta robustas.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje de 500 V que permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 26 A para una manipulación de carga sostenida
• Disipación de potencia máxima de 250 W que permite un funcionamiento de alta potencia
• Rds(on) de 0.145 Ω que reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• Carga de puerta típica de 86 nC que admite un comportamiento de conmutación predecible
• 30 V Vgs máximo que permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
• Corriente de drenaje continua de 26 A para una manipulación de carga sostenida
• Disipación de potencia máxima de 250 W que permite un funcionamiento de alta potencia
• Rds(on) de 0.145 Ω que reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• Carga de puerta típica de 86 nC que admite un comportamiento de conmutación predecible
• 30 V Vgs máximo que permite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores industriales
• Ideal para topologías de potencia de modo conmutado en inversores
• Se utiliza para circuitos de accionamiento de motor que requieren una capacidad de 500 V
• Puede utilizarse para relés de alta tensión y conmutación de protección
• Se utiliza con etapas de potencia discretas en entornos de alta temperatura
• Ideal para topologías de potencia de modo conmutado en inversores
• Se utiliza para circuitos de accionamiento de motor que requieren una capacidad de 500 V
• Puede utilizarse para relés de alta tensión y conmutación de protección
• Se utiliza con etapas de potencia discretas en entornos de alta temperatura
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Funciona a temperaturas de –55 a 150 °C, admite arranques en frío y condiciones de funcionamiento elevadas.
¿Cómo afecta el encapsulado a la gestión térmica?
El formato TO-220AB permite atornillar a un disipador térmico para mejorar la disipación térmica y la resistencia térmica de estado estable.
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben respetarse?
Mantenga la tensión de puerta a fuente dentro de ±30 V para evitar superar las tolerancias de umbral de puerta del dispositivo.
¿Está configurado el dispositivo para implementación multichip?
La matriz contiene un único elemento por chip, por lo que el paralelismo requiere un diseño de uso compartido de corriente cuidadoso.
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