MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SIHP21N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, JEDEC TO-220AB de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-7349
Nº ref. fabric.:
SIHP21N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

EF

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.176Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

84nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Altura

6.71mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

14.4mm

Anchura

10.52mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El Vishay SIHP21N60EF es un MOSFET de potencia de la serie EF de canal N con diodo de cuerpo rápido que tiene drenaje para tensión de fuente (VDS) de 600V V y tensión de puerta a fuente (VGS) de 30V V. Tiene que tener encapsulado TO-220AB. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS.) de 0,176ohms V a 10VGS mA. Corriente de drenaje máxima: 21A A.

MOSFET de diodo de cuerpo rápido usando tecnología de la serie E.

Reducción de trr, Qrr e IRRM

Figura de mérito baja (FOM): Ron x QG

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